世界各国第三代半导体材料发展情况
第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表,具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力等特性。这些材料主要应用于光电子器件、电力电子器件等领域,具有巨大的市场潜力。欧美日等发达国家和地区都将碳化硅半导体技术列入国家战略,并投入巨资支持发展。
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2024-06
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